作者：程洁; 朱文清; 委福祥; 蒋雪茵; 张志林ito功函数双边注入
摘要：通过制备双边注入型单载流子器件ITO／TPD（NPB）／Cu，运用Fowler-Nordheim（F-N）公式变换，消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响，提高了测量的精度，简单准确地测定了ITO的功函数。实验测得值分别为4．85eV、4．88eV，与ITO的文献报道值接近。该方法操作简便，可以用来测定半导体和金属电极特别是合金电极的功函数。
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