作者:高玉竹; 龚秀英; 陈涌海; 吴俊禁带宽度电学性质
摘要:用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0.96外延层。傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.1055eV,与透射光谱测得的数值很好地一致。通过测量12-300K的吸收光谱,研究了InAS0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性。霍尔测量得出300K下样品的电子迁移率为4.47×100cm^2/Vs,载流子浓度为8.77×10^15cm^-3;77K下电子迁移率为2.15×10^4cm^2/Vs,载流子浓度为1.57×10^15cm^-3;245K下的峰值迁移率为4.80×10^4cm2/Vs。
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