作者:张开彪; 马书懿; 马自军; 陈海霞射频磁控溅射位形坐标
摘要:用射频磁控溅射法制备了具有Au/(Si/SiO2)/pSi结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光(EL)谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究,用位形坐标理论模型分析的结果表明,在SiO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,Au膜中的电子和p型Si中的空穴在较高的电场下以Fowler-Nordheim(F-N)隧穿方式进入SiO2薄膜,并通过其中的缺陷中心复合而发光。
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