作者：杨恢东衬底温度结构特征微晶硅甚高频等离子体化学气相沉积薄膜沉积沉积速率沉积过程平均尺寸体积分数温度条件原位监测测量技术光发射谱结构表征沉积系统优化生长晶粒结晶
摘要：采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度条件下沉积了氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜,并通过光发射谱(OES)测量技术对沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体进行了原位监测.结合对样品的沉积速率测量与结构表征,研究了衬底温度对薄膜沉积过程与结构特征的影响.实验结果表明:随着衬底温度的增加,μc-Si∶H薄膜结晶体积分数与晶粒的平均尺寸单调增大,而沉积速率则呈现出先增后减的变化.对于当前的沉积系统,优化生长的衬底温度约为210 ℃,相应的μc-Si∶H薄膜沉积速率为0.8 nm/s,结晶体积分数与晶粒平均尺寸分别为60%和9 nm.
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