作者：于; 徐征; 曲崇; 徐恩生电致发光特性边发射无机电致发光发光器件发光层碰撞激发ito薄膜sio2发光峰
摘要：用电子束蒸发的方法制备了一种新的ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al薄膜电致(TFEL)发光器件.在交流电压驱动下,其有2个发光峰,分别位于466 nm和560 nm.通过研究器件(PL)激发(PLE)谱、光致发光、EL发光以及EL发光强度随驱动电压和频率的变化发现,器件的发光来源于ZnSe的带边发射和自激活发光中心.器件的发光机理与一般的无机电致发光有所不同.这里,SiO2作为电子加速层,ZnSe作为发光层,电子在SiO2层中的高电场作用下被加速到很高的能量,然后直接碰撞激发ZnSe分子使其发光.这种发光现象被称为固态类阴极发光.
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