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1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器

作者:王书荣; 王辉; 王宝军; 朱洪亮; 张靖; 丁...分布反馈量子阱激光器dfb边模抑制比脊波导汽相外延腔长外微分分量光谱

摘要:采用低金属有机汽相外延(LP-MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78 μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900 μm的激光器,室温时其激射的阈值电流为33 mA,最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别为8 mW和7%;此外,激射光谱边模抑制比(SMSR)为27.5 dB.

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光电子激光

《光电子.激光》(CN:12-1182/O4)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《光电子.激光》为专业技术性刊物。报道光电子、激光技术领域的研究成果,内容包括新型光电子器件、装置和材料、光电控制和检测、光存贮和光电信息处理、通讯和光纤应用技术光电集成技术、光计算和光学神经网络、激光加工和激光应用、光电生物医学等方面。

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