作者：汤嘉陵; 王惟; 顾宜聚酰亚胺丙烯酸光致抗蚀干膜化学蚀刻
摘要：以普通丙烯酸光致抗蚀干膜为抗蚀层,采用对该抗蚀层进行二次UV曝光新工艺.分别以1%、4%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液为显影液和蚀刻液,实现了不同体系PAA胶膜的水系蚀刻,最终制备出膜厚为20～25 μm,蚀刻精度达线宽/线距＝60 μm/60 μm的聚酰亚胺(PI)蚀刻图膜.三乙胺的加入可有效抑制PAA降解,将PAA胶液室温有效存放期从7 d以内延长至14*!d以上,且对化学蚀刻PI蚀刻图膜的力学性能无负面影响.该工艺路线、通用性好,且经济、环保.
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