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基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm^3+,Ti^4+,Mg^2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

作者:张栌丹; 王明文; 刘世香; 张飞飞; 李文军红色长余辉材料基质掺杂离子半径余辉时间

摘要:采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)2O2S:Sm^3+,Ti^4+,Mg^2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为^4G5/2→^6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y^3+半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.

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工程科学学报

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