作者：张志翔; 王建; 张红星二芳基乙烯pbi光激发密度泛函理论
摘要：采用DFT/TDDFT下的PBE0/6-31G(d)方法研究了由二芳基乙烯DE与荧光基团二萘嵌苯双酰亚胺PBI合成的新型荧光分子的一系列吸收以及发光性质.利用内稟反应坐标(IRC)以及频率分析对三重态副反应过程进行验证,得到相对应的反应路径.计算结果表明,实验中PBI的芳香环修饰有效地降低了跃迁能级差,引起吸收光谱的红移,从而避免副反应发生.使用Rehm-Weller公式对光激发电子转移过程进行热力学评估,以解释在二芳基乙烯为闭环的情况下发生荧光猝灭的原因.
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