作者：刘军山; 罗怡; 杜艳; 刘冲; 王立鼎; 周伟...聚甲基丙烯酸甲脂电泳芯片铜电极集成pmma正性光刻胶葡萄糖溶液湿法腐蚀制作过程烘烤温度电极表面二次曝光循环伏安电泳分析cu热键合微沟道腐蚀液安培法溅射基片
摘要：在聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)上溅射金属Cu,然后利用光刻、湿法腐蚀的办法制出铜电极.与另一片含有微沟道的PMMA基片热键合,制成集成铜电极的电泳芯片.在电极制作过程中,对Cu表面上覆盖的正性光刻胶的前、后烘烤温度及时间进行了研究.对Cu腐蚀液的选择及其浓度的确定进行了分析.首次提出采用二次曝光的办法去除铜电极表面的光刻胶.为了证明该种方法的可行性,在制作的一种集成铜电极的PMMA芯片上,进行了循环伏安及动态伏安实验,采用安培法对葡萄糖溶液的电泳分析进行检测.
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