作者：门洪; 邹绍芳; Andrey; Legin; 王平薄膜脉冲激光沉积干扰离子迟滞效应汞离子证明单晶硅片新型制备靶材
摘要：采用脉冲激光沉积技术,在光寻址电位传感器表面上沉积了对二价汞离子敏感的薄膜,制备了一种新型汞离子选择薄膜传感器,靶材成分为Hg-Ag-I-S,基底为p型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au.该薄膜传感器在3星期内显示了良好的重复性和稳定性;检出限为 3×10-6 mol/L;响应时间小于2 min, 适用pH范围小于2.对干扰离子和迟滞效应等也进行了研究.该传感器具有测量快速灵活、所需样品少、动态范围宽等特点,因为把电位信号转化为对光激发的交流电流信号进行测量,所以提高了灵敏度.同时也证明了脉冲激光沉积是适合制备薄膜传感器的一种新技术.
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