作者：刘述梅; 黎拒难; 毛勋碳糊电极二次导数吸附伏安法铬含量测定痕量分析
摘要：研究了Zr(Ⅳ)-桑色素络合物在碳糊电极正电位区的吸附伏安行为，并利用其在0．74V处的二次导数吸附氧化峰电流与Zr(Ⅳ)浓度为6．0×10^-9～2．0×10^-6mol／L呈线性而测定Zr；检出限为3．0×10^-9mol／L(S／N=3)。最佳测定条件为：2．0mol／L Hcl、1．0×10^-5mol／L桑色素；富集电位为0V(vs．SCE)；扫描速度为250mV／s。该法不需萃取分离，可直接用于岩石样品中Zr的测定，结果满意。
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