作者：林波; 左长明; 周勋algan
摘要：为了获得高质量的高Al组分AlGaN外延材料,一般是在蓝宝石基片与外延层之间引入缓冲层或模板层（GaN、AlN或两者的交替周期超晶格）来提高AlGaN的外延质量,不同的缓冲层及结构对AlGaN的外延质量产生不同的影响.利用三轴晶高分辨X射线衍射（TAXRD）表征手段对2种生长结构下的AlGaN进行表征分析.
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