作者：王岳; 王勇; 李占国; 尤明慧半导体激光器波长锁定腔面光栅全息光刻
摘要：利用全息光刻开展了808 nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备,制备与表征了单管芯器件,单管芯器件条宽100μm,腔长2 mm,输出中心波长807.32 nm,光谱半宽为0.36 nm,15~45℃温度范围内波长随温度的漂移系数为0.072 nm/℃,室温单管芯最大连续输出功率达到2.8 W,阈值电流为0.49 A,斜率效率为1.05 W/A。测试结果表明808 nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出。
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