作者：周之琰; 杨坤; 黄耀民; 林涛; 冯哲川光致荧光时间分辨荧光谱硅衬底
摘要：为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题，使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量，提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度（10~300 K）的变化规律。实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后，非辐射复合平均激活能由（18±3）meV升高到（38±10）meV，对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓，室温下非辐射复合速率下降，体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小，PL峰位由531 nm左右红移至579 nm左右，样品PL效率随温度的衰减受到抑制。使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层，由于应力释放，降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度，使得器件性能得到了改善。
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