作者：唐桦明; 唐强; 毛日华; 谢建才低温热释光lyso辐射发光自陷激子缺陷结构
摘要：为了分析材料在低温下的陷阱能级，获得更多有关缺陷结构的信息，研制了一套由STM32微控制器为核心的低温热释光发光谱测量系统。设计了低温样品室，采用液氮冷却样品；STM32通过控制加热电流，实现样品以恒定速率升温，从而获得低温热释光发光曲线或三维热释光谱。温度测量范围为85~400 K，升温速率范围为0.1~10 K/s。设计了由STM32控制X射线及紫外光源的驱动电路，用于样品的激发。采用高灵敏度CCD实现对三维热释光谱的测量，采用单光子计数器获取二维热释光发光曲线。利用该系统测试了（Lu，Y）2SiO5：Ce3＋（LYSO：Ce3＋）单晶闪烁体与SrSO4：Dy3＋粉末样品的热释光谱及辐射发光光谱。观察到LYSO：Ce3＋在108，200，380 K左右的热释光峰，发光波长位于390~450 nm之间，是明显的宽带峰。在低温下由于基质的自陷激子（STE）发射所形成的发射峰在166 K时发生猝灭。在309 K时，Ce3＋发射峰展宽为单一发射峰；SrSO4：Dy3＋发光峰温度为178，385 K，发光波长由Dy3＋离子的能级跃迁决定，在480，575，660，750 nm处呈现窄带发光峰。结果表明，系统人机交互界面友好，实验数据可靠，智能化程度高，操作简单。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
