作者：沈龙海; 张轩硕aln微晶棒直接氮化法光致发光缺陷发光
摘要：采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪（Raman）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明：所制备的Al N微晶棒长度约为30μm,直径约为10μm。在AlN微晶棒的PL谱中,有两个主要发光峰,中心在430 nm的发射源于VN和（V_（Al）-O_N）-（2-）构成的深施主-深受主对缺陷发光,中心在650 nm的发射源于VAl形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现,Al N微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减弱,在激发波长为285 nm时强度最大;650 nm处的发光峰随激发波长增大而逐渐增强。
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