抛物量子点中弱耦合激子的光学声子平均数

作者：李志新 王鸿雁 辛伟 肖景林量子点激子光学声子平均数弱耦合

摘要：研究了电子-体纵光学声子弱耦合情况下，抛物量子点中激子的性质。在有效质量近似下，采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合激子的基态能量和光学声子平均数。以GaAs半导体为例进行了数值计算，结果表明：弱耦合情况下，激子的光学声子平均数基态的能量和量子点受限强度的增大而减小，随量子点半径的增大而增大。

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