作者：杨洪涛; 额尔敦朝鲁; 冀文慧激子强耦合自陷能诱生势
摘要：在Huybrechts关于强耦合极化子的模型基础上，采用LLP变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与ID声子弱耦合体系的基态能量，推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式，并以AgCl／AgBr晶体为例进行了数值计算，结果表明，激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关，而且电子-空穴间距离P对激子自陷能的影响也十分显著；激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离P有关，而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。
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