作者：吴克跃; 黄伟其; 许丽多孔硅锗低维纳米结构pl增强界面态
摘要：用激光照射辅助电化学刻蚀硅锗合金样品能够形成多种低维纳米结构.在硅锗合金上形成的多孔状结构在波长为725 nm处有很强的光致发光（PL）峰,PL的增强效应不能单独用量子受限模型来解释.我们提出新的模型来解释这种低维纳米结构的PL增强效应.
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《发光学报》（CN：22-1116/O4）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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