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极性半导体膜中的束缚极化子

作者:王秀清; 肖景林极性晶体膜束缚极化子线性组合算符自陷能

摘要:采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚极化子的基态能量、自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(E^tre-LO)极化子效应;第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的。后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(E^tre-SO(+),E^tre-SO(-))。通过对KCl半导体膜的数值计算表明,E^tre-LO随膜厚d的增加而增加;但是E^tre-SO、极化子的振动频率以及电子-声子相互作用所产生的总自陷能E^tre-ph随膜厚d的增加而减少,当膜厚大于5nm时,总自陷能E^tre-hp趋于一稳定值。另外,由于束缚势的存在,使极化子的振动频率增大,这主要是由于束缚势的存在,使电子一声子间的相互作用增强,极化子效应增大而引起的。

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