作者：张铁民; 缪国庆; 金亿鑫; 谢建春; 蒋红; ...铟镓砷金属有机化学气相沉积x射线衍射扫描电子显微镜
摘要：采用低压金属有机化学气相沉积（LP—MOCVD）技术，两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层InxGa1-xAs的In组分对In0.82Ga0.18As结晶质量和表面形貌的影响。X射线衍射（XRD）用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜（SEM）观察样品的表面形貌。实验结果表明，低温生长的缓冲层InxGa1-xAs的In组分影响高温生长的外延层In0.82Ga0.18As的结晶质量和表面形貌。测量得到四个样品的外延层In0.82Ga0.18As的X射线衍射谱峰半峰全宽（FWHM）为0．596°，0．468°，0．362°和0．391°，分别对应缓冲层In组分x=0．28，0．53，0．82，0．88，当缓冲层In组分是0．82时，FWHM最窄，表明样品的结晶质量最好。SEM观察四个样品的表面形貌，当缓冲层In组分是0．82时，样品的表面平整，没有出现交叉平行线或蚀坑等缺陷，表面形貌最佳。
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