多量子阱超辐射发光二极管（SLD）热分布计算

作者：李岚; 傅丽伟; 张纳; 陶怡; 李光旻超辐射发光二极管热阻分布有源区

摘要：对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Superluminescent diode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布.计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1 W时,有源区的温度将接近50 K.该分析对有效地设计芯片的结构,减少温度升高对SLD稳定性的影响具有指导意义.

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