作者：曹小龙; 李清山; 王清涛; 张利宁纳米硅光致发光
摘要：利用高真空电子束蒸发方法在多孔氧化铝衬底上生长了纳米硅薄膜,经过650℃高温真空退火后,在10～300 K温度范围内观测样品的荧光光谱特性,并对样品进行了场扫描电镜(SEMi)、傅里叶变换红外吸收(FTIR)光谱、X射线衍射(XRD)谱的分析.PL谱结果表明,随着温度的升高,样品的发光峰位一般发生红移,但在50～80 K范围内却出现了反常的蓝移现象;样品的发光强度基本是按逐渐减小趋势变化的,在60～80 K之间,发光强度有少许变强.讨论了纳米硅薄膜的光致发光机理,用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释.
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