作者：张德恒; 张锡健; 王卿璞; 孙征氧锌镁薄膜量子阱超晶格光致发光受激发射半导体材料
摘要：MgO和ZnO形成合金MgxZn1-xO的带隙可以在3.3～7.9 eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景.由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/MgxZn1-xO量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值.回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/MgxZn1-xO超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/MgxZn1-xO超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系.
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