作者：佟星元; 李茂; 董嗣万低压差稳压器无片外电容快速瞬态响应面积小
摘要：为了改善负载跳变对低压差线性稳压器(LDO)的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO(CL-LDO)的新型快速响应技术。通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度。该文电路基于0.18μm CMOS工艺设计实现,面积为0.00529 mm2。流片测试结果表明,当输入电压范围为1.5~2.5 V时,输出电压为1.194 V;当负载电流以1μs的上升时间和下降时间在100μA~10 mA之间变化时,CL-LDO的过冲恢复时间为489.537 ns,下冲恢复为960.918 ns;相比未采用该技术的传统CLLDO,响应速度能够提高7.41倍,输出过冲和下冲的电压幅值能够分别下降35.3%和78.1%。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
