作者：凌必赟; 彭春荣; 任仁; 储昭志; 张洲威; ...mems3维电场传感器轴间耦合干扰
摘要：轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS1维电场敏感芯片，并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS3维电场传感器。不同于己见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS1维电场敏感芯片，该文提出的芯片采用轴对称设计，在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量，并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰。该MEMS3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点。实验结果表明在0-120kV／m电场强度范围内，该MEMS3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3．48％，3维电场测量误差小于7．13％。
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