作者：傅达平 王猛 胡曦 庄翔 赵远远电平位移薄膜soildmos负电源开态击穿电压
摘要：本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0-8V低压逻辑输入到8-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理．并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。
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《电子元器件应用》是一本有较高学术价值的月刊，自创刊以来，以电子元器件应用为主题，以前倨后恭器件、新设计、新技术为主线，以技术性、资料性、实用性为特色。选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度，颇受业界和广大读者的关注和好评。
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