HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

基于TSMC0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真

作者:祁赓; 黄海生; 李鑫; 惠强低噪声放大器共源共栅噪声系数功率增益1db压缩点

摘要:针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频段信号和BDS B2频段信号。通过对器件尺寸的计算和选择,使得电路具有良好的噪声性能及线性度。利用Cadence软件中Spectre对所设计的电路进行仿真。得到仿真结果为:LNA在1.8 V电源电压下,功耗为4.28 mW,功率增益为18.51 dB,输入回波损耗为38.67 dB,输出回波损耗为19.21 dB,反向隔离度S12为-46.91 dB,噪声系数(Noise Figure,NF)为0.41 dB,输入1 dB压缩点为-11.70 dBm,输入三阶交调点为-1.50 dBm。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

电子元件与材料

《电子元件与材料》(CN:51-1241/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子元件与材料》是国内电子元器件领域历史最悠久的期刊之一,坚持"集前瞻性、创新性与实用性为一体,为科技进步和行业发展服务"的办刊理念,为行业技术的传播与交流发挥了重要的桥梁和纽带作用。

杂志详情