作者：朱涤非; 钟世昌s波段氮化镓高迁移率晶体管高效率内匹配功率放大器
摘要：功率放大器在饱和工作状态下可以达到很高的效率, 但在饱和工作状态下, 谐波（主要是二次谐波）会明显降低功率放大器的效率. 合适的谐波控制电路可以提高功率放大器的效率. 采用谐波控制的方法, 设计并实现了一种S波段 40WGaN 高效率内匹配功率放大器. 在设计过程中, 器件选用0.5μm 工艺GaN HEMT 管芯, 采用一个较小的电感L 和一个较大的电容 C 使得二次谐波短接到地, 并利用一级低通 LC 电路将阻抗匹配到目标阻抗50Ω. 测试结果表明, 放大器在工作频率范围3. 1 ~ 3. 4 GHz 内, 在漏电压48 V, 占空比10%, 脉宽0.1ms 的条件下, 输出功率大于46. 8 dBm（48.3W）, 最大输出功率为47. 4 dBm（55. 3 W）, 带内饱和功率增益大于10 dB, 漏极效率大于63. 8%, 最大漏极效率达到73. 9%.
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