作者：秦汉; 盛洁; 李雷; 朱灿焰; 毛凌锋硅晶体电场空位缺陷带隙隧穿电流密度
摘要：用分子动力学模拟和第一性原理计算分析方法,研究电场对含空位缺陷硅结构的影响。分子动力学结果表明,硅(100)晶面处的空位数量,总体随着电场强度的增强而增加。当电场在8.90×106V/cm和1.35×107V/cm之间时,空位数达到最大饱和数值10,并保持稳定。第一性原理计算结果表明,能带结构中的缺陷能级等效于降低价带和导带之间的带隙值,导致空位结构中隧穿电流变大。此外,缺陷能级也会导致空位结构中的静态介电常数变大,从而引起电容-电压特性值变大。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
