作者：周涛; 陆晓东; 吴元庆; 李媛背接触太阳电池光强衬底电阻率串联电阻损耗转换效率
摘要：利用TCAD半导体器件仿真软件对中低倍聚光光伏系统中应用的N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池的电学性能进行了仿真研究,全面系统地分析了不同衬底电阻率和光强对电池短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。结果表明：IBC太阳电池的电学性能受到衬底电阻率和光强的显著影响。当光强较小（0.1 W/cm^2）时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率随之降低,最优的衬底电阻率为0.5Ω·cm。当光强较高（0.5-5 W/cm^2）时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率随之增大,最优的衬底电阻率为3Ω·cm。当光强进一步增大（10-50 W/cm^2）时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率呈现出先增大后减小的变化特点,最优的衬底电阻率为2Ω·cm。
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