hemt器件增强型氮化镓国际微电子西安电子科技大学香港科技大学功率电子器件
摘要：近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队、西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。
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《电子元件与材料》（CN：51-1241/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子元件与材料》是国内电子元器件领域历史最悠久的期刊之一，坚持"集前瞻性、创新性与实用性为一体，为科技进步和行业发展服务"的办刊理念，为行业技术的传播与交流发挥了重要的桥梁和纽带作用。
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