作者：杜国芳 赵康 秦国辉 王海 赵鹤云sno2低维纳米结构综述分级纳米结构构筑基元气敏性能
摘要：分级纳米结构不仅具有低维纳米构成基元的特征,还具备较大的比表面积及特别的空间孔道结构,从而表现出不同于单一构成基元的独特的物理、化学性质。综述了近年来SnO2分级纳米结构的研究进展,重点介绍了球状、花状、枝棒状等SnO2分级纳米结构的合成方法、形貌及气敏性能,并对SnO2分级纳米结构作为高性能气敏材料的应用和发展前景进行了展望。
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《电子元件与材料》（CN：51-1241/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子元件与材料》是国内电子元器件领域历史最悠久的期刊之一，坚持"集前瞻性、创新性与实用性为一体，为科技进步和行业发展服务"的办刊理念，为行业技术的传播与交流发挥了重要的桥梁和纽带作用。
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