作者：魏昊 龙绪明 樊利军电子元件电子器件抗高过载研究动态smd霍普金森杆
摘要：研究抗高过载能力是提升武器装备中电子元器件性能的重要环节。简介了军用电容器、MEMS器件以及试验装置等方面的研究动态。以石英晶体元件的霍普金森杆实验为例,验证了高过载实验的方法与意义,对提高军用电子元器件抗高过载能力研究具有参考意义。
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《电子元件与材料》（CN：51-1241/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子元件与材料》是国内电子元器件领域历史最悠久的期刊之一，坚持"集前瞻性、创新性与实用性为一体，为科技进步和行业发展服务"的办刊理念，为行业技术的传播与交流发挥了重要的桥梁和纽带作用。
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