作者：康杰 张万里 吴传贵 向阳 王超杰tan薄膜磁控溅射n2分压方阻电阻温度系数
摘要：采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜，研究了φ（N2）对薄膜的结构和性能影响。研究发现，在N2分压（体积分数）为9％时，多相共存的TaN薄膜表现出TaN（200）面择优取向，方阻和吼达到最佳，其值为52Ω/□和-306×10^-6／℃．薄膜的方阻、电阻温度系数α1和晶粒尺寸都随着N2分压的增大而增大：当N2分压高于11％N，薄膜的方阻和α1增长较快。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
