作者：张富春; 张志勇; 阎军锋; 张威虎半导体技术氧化锌共掺杂技术第一性原理p型电子结构
摘要：计算了ZnO材料p型掺杂精细结构，分析了P型掺杂ZnO晶体的电子结构、电荷布局、电子态密度、差分电荷。所有计算都是基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一原理平面波超软赝势方法。计算结果表明：掺杂V族元素（N、P、As、In）的氧化锌材料在能隙中引入了深受主能级，载流子（空穴）局域于价带顶附近，而利用加入激活施主的共掺杂技术的计算结果却表明，受主能级向低能方向移动，形成了浅受主能级。同时，受主能级带变宽，非局域化特征明显。
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