作者：蔡志军; 巴维真; 陈朝阳; 崔志明; 丛秀云电子技术深能级杂质反型固溶度亨利定律电离
摘要：为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅.实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点.
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