作者：裴立宅; 唐元洪; 陈扬文; 张勇; 郭池电子技术硅纳米线综述纳米电子器件制备性能
摘要：硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景.介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望.
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《电子元件与材料》（CN：51-1241/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子元件与材料》是国内电子元器件领域历史最悠久的期刊之一，坚持"集前瞻性、创新性与实用性为一体，为科技进步和行业发展服务"的办刊理念，为行业技术的传播与交流发挥了重要的桥梁和纽带作用。
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