作者:张建; 巴维真; 陈朝阳; 崔志明; 蔡志军; ...掺锰热敏特性正温度系数负温度系数导电类型硅材料单晶硅
摘要:采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200~4300K之间.
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《电子元件与材料》(CN:51-1241/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子元件与材料》是国内电子元器件领域历史最悠久的期刊之一,坚持"集前瞻性、创新性与实用性为一体,为科技进步和行业发展服务"的办刊理念,为行业技术的传播与交流发挥了重要的桥梁和纽带作用。
部级期刊
人气 371075 评论 74
人气 308104 评论 62
人气 269638 评论 66
统计源期刊
人气 156482 评论 73