作者：李贺缺陷地功率放大器特征阻抗二次谐波功率附加效率
摘要：论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 dBm时改善二次谐波13 dB,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 dBm时改善二次谐波28 dB,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。
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