作者：彭龙新; 邹雷; 王朝旭; 林罡; 徐波; 吴礼...耗尽型phemt增强型phemt微波单片集成电路氢退化耐氢能力
摘要：为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚SiN钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150 ℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10^-6、40 h 提升到30000×10^-6、110 h(电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层SiN钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150 ℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10^-6、115 h(电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。
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