作者：童伟; 任军带隙基准电压源输出失调存储工艺补偿
摘要：高速光接收芯片的片上电源稳定性至关重要,片上电源管理单元(PMU,Power Management Unit)为各子模块提供稳定的供电,低温漂带隙基准电压源是PMU设计中的核心模块。提出一种用于高速光接收芯片的低温漂带隙基准电压源的设计。为克服随机失调对基准电压温度系数的影响,在运放设计中采用了OOS(输出失调存储,Output Offset Storage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,有效降低了不同PVT情况下的失调电压。采用0.18μm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在运放输入端的初始失调电压为7mV时,输入失调电压可被降低到0.1mV以下。量产测试结果显示,温度系数最高为20.5×10^-6/℃,不修调精度0.8%以内,输出纹波电压最大为88μV,满足了高速光接收芯片的稳定性要求。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
