作者：冯超; 王振宇; 郝志杰dmosuis带氮化硅结构
摘要：功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件。而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标。针对UIS的测试方法和机理做了简单的介绍,同时针对某款功率VDMOS产品的UIS改善方案进行了详细的描述。
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《电子与封装》（CN：32-1709/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子与封装》以发展我国微电子产业为己任，是国内目前唯一一本以封装技术为优秀的微电子学术期刊，同时全面介绍微电子行业的研发设计、制造、封装、测试和产品应用技术。
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