作者：李碧姗; 王昭; 董妮igbtptnptsptcstbt
摘要：首先从绝缘栅型双极性晶体管（IGBT）的物理模型展开讨论,分析了影响IGBT性能的几个重要特性参数,对其结构的优化和改进提供了理论支撑。其次论述了IGBT问世以来的主要结构设计发展历程,以及国际主流IGBT设计厂商对各自IGBT产品结构做出的独创性改进。最后对目前研究的新技术热点如逆导型IGBT半导体器件进行了介绍,并对IGBT器件的发展方向提出展望。
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《电子与封装》（CN：32-1709/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子与封装》以发展我国微电子产业为己任，是国内目前唯一一本以封装技术为优秀的微电子学术期刊，同时全面介绍微电子行业的研发设计、制造、封装、测试和产品应用技术。
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