作者：夏永平; 李贺; 魏斌ganhemt内匹配功率放大器功率合成
摘要：采用内匹配和功率合成技术，设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成，在陶瓷（Al2O3）基片上设计制作功分器，使其输入输出阻抗均为50赘。实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220W以上，增益大于11dB，功率附加效率大于48%，功率合成效率比达到90%。
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《电子与封装》（CN：32-1709/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子与封装》以发展我国微电子产业为己任，是国内目前唯一一本以封装技术为优秀的微电子学术期刊，同时全面介绍微电子行业的研发设计、制造、封装、测试和产品应用技术。
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