作者：王乐乐; 钟世昌; 谢凌霄; 鞠久贵氮化镓高电子迁移率晶体管内匹配功率放大器s波段
摘要：实现了一款应用于S波段雷达系统的GaN HEMT内匹配功放。以小信号S参数和Load-pull结果为基础进行内匹配电路设计和仿真,采用单个24 mm GaN HEMT管芯实现大功率输出。使用微波仿真软件ADS进行输出匹配和小信号仿真和优化,得到良好的仿真结果并给出最终的测试数据。在34 V漏电压、1 ms周期、10%占空比的测试条件下,40 d Bm输入功率时,2.7-3.1 GHz频率范围内,输出功率超过170 W,功率附加效率超过55%。
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