作者：斯芳虎正向电压外延层欧姆接触电流扩展金属有机化合物气相淀积pn结
摘要：文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺，探讨了LED芯片封装以后正向电压K升高和降低的常见原因，并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片，由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素，造成芯片表面镀层（ITO或Ni／Au）与P—GaN外延层之间的结合被破坏，欧姆接触电阻变大。对于GaAS基单电极芯片，由于封装材料和工艺因素，导致芯片背金（N—electrode）与银胶，或银胶与支架之间的接触电阻变大，从而LED正向电压VF升高。LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿，反向漏电过大，失去了二极管固有的I-V特性。
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