作者：郑若成结深电容测试原理测试结构设计
摘要：传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《电子与封装》（CN：32-1709/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电子与封装》以发展我国微电子产业为己任，是国内目前唯一一本以封装技术为优秀的微电子学术期刊，同时全面介绍微电子行业的研发设计、制造、封装、测试和产品应用技术。
部级期刊
人气 372069 评论 74
人气 308371 评论 62
人气 270247 评论 66
统计源期刊
人气 156804 评论 73
