电信应用功率密度消费类n沟道mosfet开关模式电源封装形式工业通态电阻
摘要：英飞凌科技近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50％，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。
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